张明喆专利

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基本信息

张明喆

(教授)

学位：博士
性别：男
学历：博士研究生毕业
在职信息：在职
所在单位：物理学院

专利

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13. 张明喆，揣明艳，氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2017.09.05，授权公告日，2019.03.19，专利号，ZL 201710809651.9。
2019-03-29
12. 张明喆，肖传海, 一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法, 中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2016.05.09，授权公告日，2018.04.03，专利号，ZL 201610298064.3（发明专利）
2018-04-21
11. 张明喆，肖传海, 制备ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料的方法, 中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2015.12.28，授权公告日，2018.04.03，专利号，ZL 201510998129.0（发明专利）
2018-04-21
10. 张明喆，肖传海，一种Au修饰Zn/ZnO微纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2014.11.15，授权公告日，2016.03.23，专利号，ZL 201410649583.0（发明专利）
2018-04-21
9. 张明喆，王盼，掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2013.09.05，授权公告日，2015.04.29，专利号，ZL 201310400908.7（发明专利）
2018-04-21
8. 张明喆，高亮，CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.07.02，授权公告日，2015.05.27，专利号，ZL 201210224927.4（发明专利）
2018-04-21
7. 张明喆，崔光亮，氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2011.12.31，授权公告日，2014.12.10，专利号，ZL 201110455860.0（发明专利）
2018-04-21
6. 张明喆，王盼，杨鹤，制备Y掺杂AgS稀磁半导体纳米颗粒方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2013.05.31 ，授权公告日，2014.07.09 ，专利号 ZL 201210210689.6（发明专利）
2018-04-21
5. 张明喆，赵瑞，姚彬彬，邱明泽，岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.04.11，授权公告日，2014.02.12，专利号，ZL 201210105253.6（发明专利）
2018-04-21
4. 张明喆，姚彬彬，赵瑞，卢思宇，一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.04.11，授权公告日，2013.12.11，专利号，ZL 201210105266.3（发明专利）
2018-04-21
3. 张明喆，崔光亮，宗兆存，水溶液中制备CdS:Mn纳米颗粒的方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2010.01.05，授权公告日，2012.01.11，专利号，ZL 201010030802.9（发明专利）
2018-04-21
2. 张明喆，胡婷婷，宗兆存，邹广田，气液表面反应制备Cd1-xCoxS稀磁半导体纳米颗粒的方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2010.08.05，授权公告日，2012.05.23，专利号，ZL 201010245709.X（发明专利）
2018-04-21
1. 张明喆，李咚咚，氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2009.12.28，授权公告日，2012.01.11，专利号，ZL 200910218125.0（发明专利）
2018-04-21

共13条 1/1

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