学位：博士 性别：男 学历：博士研究生毕业 在职信息：在职 所在单位：物理学院
申请日期：2018-04-21 公开日期：2018-04-21 授权日期：2018-04-21 是否职务专利：否
上一条：9. 张明喆，王盼，掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2013.09.05，授权公告日，2015.04.29，专利号，ZL 201310400908.7（发明专利）
下一条：7. 张明喆，崔光亮，氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2011.12.31，授权公告日，2014.12.10，专利号，ZL 201110455860.0（发明专利）
