(5)2010年 与日本产业技术综合研究所 (National Institute of Advanced Insdustrial Science & Technology) 共同研发 “Au纳米间隙的电子迁移与表面沉积同步纳加工” 先进技术,微细制造沟宽小于1纳米 (<1nm) 的Au纳米间隙。 该项纳加工技术在先进电子器件、光学器件及生物器件等领域有者广泛的应用前景。作为共同申请人获相关日本国授权发明专利一项、作为共同通讯作者在ACS Applied Materials & Interfaces (JCR1区期刊 IF=8.758) 等国际SCI源刊上发表相关学术论文数篇

点击次数:发布时间:2019-07-12

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