闫羽论文成果 Ultrahigh Tunneling-Magnetoresistance Ratios in Nitride-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions from First Principles

Ultrahigh Tunneling-Magnetoresistance Ratios in Nitride-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions from First Principles

点击次数： 论文类型：期刊论文 发表时间：2018-05-14 发表刊物：Phys. Rev. Appl. 收录刊物： SCI 所属单位：吉林大学物理学院 学科门类：理学 一级学科：物理学 卷号：9 页面范围：054019 是否译文：否

上一条：First- principles study of perpendicular magnetic anisotropy in ferrimagnetic D022-Mn3X (X = Ga, Ge) on MgO and SrTiO3 下一条：New two-dimensional allotrope of single layer IV-V semiconductor XBi (X=Si, Ge, Sn)

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